买卖IC网 >> 产品目录 >> FZ1200R33KF2 IGBT 模块 U 641-FZ1200R33KF2C datasheet RF/IF 和 RFID
型号：

FZ1200R33KF2

库存数量：可订货
制造商：Infineon Technologies
描述：IGBT 模块 U 641-FZ1200R33KF2C
RoHS：否
详细参数
参数
数值
产品分类 RF/IF 和 RFID >> IGBT 模块
描述 IGBT 模块 U 641-FZ1200R33KF2C
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制造商 Infineon Technologies
产品 IGBT Silicon Modules
配置 Triple Common Emitter Common Gate
集电极—发射极最大电压 VCEO 3300 V
集电极—射极饱和电压 3.4 V
在25 C的连续集电极电流 2000 A
栅极—射极漏泄电流 400 nA
功率耗散 14.7 KW
最大工作温度 + 125 C
封装 / 箱体 IHM130
封装
相关资料
属性
链接
代理商 FZ1200R33KF2
FZ1200R33KF2C
FZ1200R33KL2
FZ1200R33KL2C
FZ1200R33KL2C_B5
FZ1500R25KF1
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  • FZ1200R33KF2 参考价格
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